Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Интегральные микросхемы
Модули памяти

Модули памяти

Сбросить фильтр
Популярные
S29GL512S11TFIV20

Infineon Technologies

S29GL512S11TFIV20
Микросхема: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP

69336 шт - 3-6 недель

1 790 ₽

1 шт — 1 790 ₽

10 шт — 1 662 ₽

PF48F4400P0VBQEK

Alliance Memory, Inc.

PF48F4400P0VBQEK
Микросхема: PARALLEL NOR FLASH, 512MB, 1.8V,

22000 шт - 3-6 недель

1 020 000 ₽

500 шт — 2 040 ₽

2000 шт — 1 947 ₽

AS4C32M16D2A-25BIN

Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16D2A-25BIN
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA

15732 шт - 3-6 недель

629 ₽

1 шт — 629 ₽

10 шт — 586 ₽

S29GL512P11FAI010

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512P11FAI010
Микросхема: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64BGA

8474 шт - 3-6 недель

168 160 ₽

40 шт — 4 204 ₽

S29GL512S10FHI023

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512S10FHI023
Микросхема: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64BGA

8000 шт - 3-6 недель

95 580 ₽

30 шт — 3 186 ₽

S29GL512P10FFIR20

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512P10FFIR20
Микросхема: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64BGA

7254 шт - 3-6 недель

104 500 ₽

50 шт — 2 090 ₽

S29GL512S11DHA020

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512S11DHA020
Микросхема: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA

7134 шт - 3-6 недель

141 300 ₽

100 шт — 1 413 ₽

S29GL512S11DHA023

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512S11DHA023
Микросхема: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA

6504 шт - 3-6 недель

141 300 ₽

100 шт — 1 413 ₽

S29GL512P10FAIR12

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512P10FAIR12
Микросхема: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64BGA

6314 шт - 3-6 недель

96 450 ₽

50 шт — 1 929 ₽

S29GL512S10DHA020

Spansion

S29GL512S10DHA020
Микросхема: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA

6265 шт - 3-6 недель

56 462 ₽

37 шт — 1 526 ₽

W9751G6NB-25

Winbond Electronics

W9751G6NB-25
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84VFBGA

5955 шт - 3-6 недель

421 ₽

1 шт — 421 ₽

10 шт — 394 ₽

MT47H32M16NF-25E:H

MICRON TECHNOLOGY

MT47H32M16NF-25E:H
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA

5803 шт - 3-6 недель

1 006 848 ₽

1368 шт — 736 ₽

S29GL512S11DHIV23

Infineon Technologies

S29GL512S11DHIV23
Микросхема: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA

5283 шт - 3-6 недель

1 997 ₽

1 шт — 1 997 ₽

10 шт — 1 856 ₽

S29GL512S10DHI010

Infineon Technologies

S29GL512S10DHI010
Микросхема: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA

4880 шт - 3-6 недель

1 476 ₽

1 шт — 1 476 ₽

10 шт — 1 372 ₽

MT47H32M16NF-25E IT:H

Micron Technology Inc.

MT47H32M16NF-25E IT:H
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA

4531 шт - 3-6 недель

957 ₽

1 шт — 957 ₽

10 шт — 892 ₽

EM68B16CWQK-25IH

Etron Technology, Inc.

EM68B16CWQK-25IH
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA

4103 шт - 3-6 недель

534 ₽

1 шт — 534 ₽

10 шт — 499 ₽

S29GL512S11DHIV20

Infineon Technologies

S29GL512S11DHIV20
Микросхема: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA

4046 шт - 3-6 недель

1 790 ₽

1 шт — 1 790 ₽

10 шт — 1 662 ₽

IS42S16320F-7TLI-TR

ISSI

IS42S16320F-7TLI-TR
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

3964 шт - 3-6 недель

2 422 ₽

1 шт — 2 422 ₽

10 шт — 2 242 ₽

S29GL512P12FFIV20

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512P12FFIV20
Микросхема: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA

3299 шт - 3-6 недель

164 500 ₽

100 шт — 1 645 ₽

MT46V32M16P-6T:F

Micron Technology Inc

MT46V32M16P-6T:F
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP

3000 шт - 3-6 недель

1 947 ₽

1 шт — 1 947 ₽

2 шт — 1 623 ₽

Модули памяти

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Модули памяти (Интегральные микросхемы)

Модули памяти: цифровая нервная система современной электроники

В мире, где каждое устройство стремится стать умнее и быстрее, модули памяти выполняют роль фундаментальной основы, на которой строится вся цифровая логика. Это не просто пассивные хранилища данных, а высокоскоростные буферы, обеспечивающие бесперебойный диалог между процессором и остальными компонентами системы. Без них невозможна работа ни одного сложного электронного устройства — от системы управления лифтом в вашем доме, где микроконтроллер постоянно считывает и записывает данные о этажах и командах, до профессионального звукового микшера, обрабатывающего несколько аудиопотоков в реальном времени. Их надежность и скорость напрямую определяют отзывчивость интерфейса, стабильность выполнения прошивки и общую производительность конечного продукта, будь то умный счетчик коммунальных ресурсов или бортовой компьютер промышленного станка.

Микросхемы памяти SOIC на печатной плате

Эволюция технологий: от килобайтов к гигабайтам на кристалле

История развития модулей памяти — это гонка за плотностью, энергоэффективностью и быстродействием. Если первые микросхемы статической памяти (SRAM) измеряли свой объем в килобайтах и потребляли значительную мощность, то современные чипы динамической памяти (DRAM) и флеш-памяти (NAND, NOR) вмещают гигабайты данных, оставаясь крайне экономичными. Ключевым прорывом стало изобретение памяти типа DDR, которая передает данные по обоим фронтам тактового импульса, effectively удваивая пропускную способность без увеличения частоты. Это решение стало отраслевым стандартом для вычислительных систем. Параллельно развивалась флеш-память, позволившая создать компактные и энергонезависимые накопители, которые произвели революцию в портативной технике. Сегодня тренды смещаются в сторону низковольтных решений (LPDDR) для мобильных и IoT-устройств и повышения надежности за счет ECC (коррекции ошибок) в ответственных applications, таких как медицинское оборудование и телекоммуникационные серверы.

Разнообразие решений для конкретных инженерных задач

Выбор конкретного типа памяти диктуется архитектурой проекта и экономическими соображениями. Для кэширования критически важных данных, где важна скорость, а не объем, идеально подходит SRAM — ее можно найти в кэш-памяти процессоров, сетевых маршрутизаторах и высокоскоростных буферах связи. Более емкая и дешевая DRAM составляет основную оперативную память в персональных компьютерах, серверах и сложных мультимедийных системах. Ее разновидности, такие как DDR3, DDR4 и DDR5, предлагают различный баланс производительности и энергопотребления. Для хранения прошивки, операционных систем и пользовательских данных применяется энергонезависимая память. NOR Flash часто используется для хранения кода благодаря возможности быстрого произвольного доступа, в то время как более емкая NAND Flash лежит в основе SSD-накопителей и карт памяти. Отдельно стоит выделить серию EEPROM, незаменимую для хранения небольших, но часто изменяемых данных конфигурации, как в автомобильной электронике или системах умного дома.

На что обратить внимание при выборе?

Подбор модуля памяти — это не только поиск по форм-фактору. Несколько ключевых параметров определяют совместимость и производительность:

  • Тип и поколение: DDR3, DDR4, LPDDR4, SRAM, EEPROM — каждый тип имеет свои уникальные характеристики напряжения и таймингов.
  • Объем и организация: Количество мега- или гигабайт (64Mbit, 2GB) и разрядность шины (x8, x16) должны соответствовать требованиям контроллера.
  • Скорость (Тактовая частота или пропускная способность): Обозначается в мегагерцах (МГц) или как пропускная способность (например, PC4-25600). Выбор должен соответствовать возможностям системы.
  • Напряжение питания: Современные чипы работают при пониженном напряжении (1.2V, 1.35V), что критично для энергосберегающих проектов.
  • Корпус: Форм-фактор (SOIC, TSOP, BGA, DIP) определяет технологию монтажа (автоматический или ручной).
  • Дополнительные функции: Наличие ECC (коррекция ошибок) для повышения надежности или функции самообновления (Self-Refresh) для энергосбережения.

Почему заказчики выбирают «Эиком Ру»?

Наш магазин стал надежным партнером для сотен инженеров и компаний именно потому, что мы глубоко понимаем суть ваших задач. Мы предлагаем не просто каталог деталей, а тщательно сформированную базу компонентов от проверенных производителей (Micron, Samsung, Winbond, ISSI), где каждая позиция прошла строгий входной контроль. Это гарантирует, что вы получите именно те микросхемы, которые обеспечат стабильную работу вашего устройства на протяжении всего его жизненного цикла. Мы гордимся своим обширным складским ассортиментом, который позволяет быстро комплектовать заказы и предлагать конкурентные цены без ущерба для качества. А нашим ключевым преимуществом для клиентов со всей России является бесплатная доставка заказов, что делает сотрудничество не только надежным, но и максимально выгодным. Мы ценим ваше время и доверие.

Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП